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少子壽命測試儀

產品簡介

頻光電導少子壽命測試儀/ 型號:KDK-LT-1

1、 用途

用于硅、鍺單晶的少數載子壽命測量,除需要有個測量平面外,對樣塊體形無嚴格要求,可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況,是單晶質量的重要檢測項目。

產品型號:KDK-LT-1
更新時間:2023-02-21
廠商性質:生產廠家
訪問量:538
詳細介紹
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頻光電導少子壽命測試儀/ 型號:KDK-LT-1

1、 用途

用于硅、鍺單晶的少數載子壽命測量,除需要有個測量平面外,對樣塊體形無嚴格要求,可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況,是單晶質量的重要檢測項目。

2、少子壽命測試儀 設備組成

2.1、光脈沖發(fā)生裝置

重復頻率>25次/s      脈寬>60μs          光脈沖關斷時間<0.2-1μs

紅外光源波長:1.06~1.09μm(測量硅單晶)   脈沖電:5A~20A

如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源
2.2、頻源

頻率:30MHz       低輸出阻抗      輸出率>1W

2.3、放大器和檢波器

頻率響應:2Hz~2MHz

2.4、配用示波器

配用示波器:頻帶寬度不低于40MHz,Y軸增益及掃描速度均應連續(xù)可調。

3、測量范圍

KDK-LT-1可測硅單晶的電阻率范圍:ρ≥3Ω·㎝(歐姆·厘米),壽命值的測量范圍:5~6000μs


重復頻率>25次/s      脈寬>60μs          光脈沖關斷時間<0.2-1μs

紅外光源波長:1.06~1.09μm(測量硅單晶)   脈沖電:5A~20A

如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源
2.2、頻源

頻率:30MHz       低輸出阻抗      輸出率>1W

2.3、放大器和檢波器

頻率響應:2Hz~2MHz

2.4、配用示波器

配用示波器:頻帶寬度不低于40MHz,Y軸增益及掃描速度均應連續(xù)可調。

3、測量范圍

KDK-LT-1可測硅單晶的電阻率范圍:ρ≥3Ω·㎝(歐姆·厘米),壽命值的測量范圍:5~6000μs





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