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頻光電導少子壽命測試儀/ 型號:KDK-LT-11、 用途用于硅、鍺單晶的少數載子壽命測量,除需要有個測量平面外,對樣塊體形無嚴格要求,可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況,是單晶質量的重要檢測項目。
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頻光電導少子壽命測試儀/ 型號:KDK-LT-1
1、 用途
用于硅、鍺單晶的少數載子壽命測量,除需要有個測量平面外,對樣塊體形無嚴格要求,可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況,是單晶質量的重要檢測項目。
2、少子壽命測試儀 設備組成
2.1、光脈沖發(fā)生裝置
重復頻率>25次/s 脈寬>60μs 光脈沖關斷時間<0.2-1μs
紅外光源波長:1.06~1.09μm(測量硅單晶) 脈沖電:5A~20A
如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源
2.2、頻源
頻率:30MHz 低輸出阻抗 輸出率>1W
2.3、放大器和檢波器
頻率響應:2Hz~2MHz
2.4、配用示波器
配用示波器:頻帶寬度不低于40MHz,Y軸增益及掃描速度均應連續(xù)可調。
3、測量范圍
KDK-LT-1可測硅單晶的電阻率范圍:ρ≥3Ω·㎝(歐姆·厘米),壽命值的測量范圍:5~6000μs
重復頻率>25次/s 脈寬>60μs 光脈沖關斷時間<0.2-1μs
紅外光源波長:1.06~1.09μm(測量硅單晶) 脈沖電:5A~20A
如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源
2.2、頻源
頻率:30MHz 低輸出阻抗 輸出率>1W
2.3、放大器和檢波器
頻率響應:2Hz~2MHz
2.4、配用示波器
配用示波器:頻帶寬度不低于40MHz,Y軸增益及掃描速度均應連續(xù)可調。
3、測量范圍
KDK-LT-1可測硅單晶的電阻率范圍:ρ≥3Ω·㎝(歐姆·厘米),壽命值的測量范圍:5~6000μs